芯片封裝外延片半導體凈化車間裝修
2019-01-21 15:01:49 來源：評論：0 點擊：

大足打造集氮化鎵外延片制造、晶元制造、芯片設計、封裝、測試、產品應用設計于一體的全產業鏈基地。

第一代半導體材料以硅和鍺為代表，第二代半導體材料以砷化鎵和磷化銦為代表。近年來，以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導體材料成為全球半導體研究的前沿和熱點。因具備禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導率大、電子飽和漂移速率高、抗輻射能力強等優越性能，第三代半導體材料已成為固態光源和電力電子、微波射頻器件的“核芯”，在諸多領域有廣闊的應用前景。
全球擁有氮化鎵全產業鏈的僅有德國、日本、美國等國少數幾家企業。我國在第三代半導體器件的研發方面起步并不算晚，但因為在關鍵材料和關鍵制作技術方面沒有取得較好的突破，國內一直沒有形成自己的制造能力。

是其在中國大陸的第一個生產、研發基地，將有望打破上述局面。該項目建成后，可為高鐵、新能源汽車、5G通訊、雷達、機器人等行業的電力控制系統和通訊系統的核心部件提供大量的氮化鎵高功率半導體和高射頻半導部件。
外延片是以氮化鎵為原材料的第三代外延片，是全球半導體研究的前沿和熱點，與芯片的質量有直接關系，屬于半導體行業的核心技術器件。以氮化鎵為材料的半導體器件可廣泛應用于新能源汽車、高鐵、5G通訊等領域，能讓大家的生活更加智能化、更加便捷。